متى ظهرت الرقائق الشمسية؟

ظهرت الرقائق الشمسية أول ما ظهرت في إمداد الأجهزة الحاسبة اليدوية بالمصدر الكهربائي. وأصبحت تستخدم في ألواح شمسية كبيرة تركب على المباني أو على عربات تعمل بالطاقة الشمسية. وتعمل المملكة المتحدة على رفع أنتاجية رقائق الشمسية بنسبة 24% سنويا بين عامي 2009 - 2020 ليصل الإنتاج إلى 22.214 ميجا واط.

ما هي المواد المستخدمة للخلايا الشمسية المركزة؟

المواد المستخدمة بشكل شائع للخلايا الشمسية المركزة هي أشباه الموصلات III-V. في معظم الحالات، يتم استخدام خلايا شمسية متعددة (انظر القسم التالي)، والتي ستكون غير اقتصادية للخلايا الشمسية ذات السطح الكامل. لا يزالون يعملون بشكل موثوق به أكثر من 500 مرة من كثافة الشمس.

ما هي تقنية وحدات الرقاق الشمسية؟

[2] تجمع تقنية وحدات الرقاق الشمسية بين نوعين من السيليكون: السيليكون اللابلوري (زجاجي البنية) والسيليكون البلوري الصغري أو مايسمى ميكروبلوري للطبقة العليا والطبقة السفلى في اللوح الشمسي. وتنتخب تلك المادتين بسبب اختلاف قدرتهما على امتصاص اللأشعة الشمسية، ويمكن تصنيعهما بنفس التقنية.

كيف يتم تصنيع منطقة الباعث في الخلية الشمسية؟

يتم تصنيع منطقة الباعث في الخلية الشمسية من خلال عملية انتشار ذات درجة حرارة عالية (ستتم مناقشتها في الأقسام القادمة). أثناء عملية الانتشار ، يتم ترسيب زجاج سيليكات الفوسفور (PSG) على الرقاقة التي يجب إزالتها قبل ترسيب طبقة ARC. كما هو موضح في الشكل 10 ، بعد خطوة الانتشار ، توجد المنطقة من النوع n أيضًا على الحواف والجانب الخلفي للرقاقة.

ما هي الخلايا الشمسية السيليكونية الأولى التي أظهرها راسل أوهل؟

كانت الخلايا الشمسية السيليكونية الأولى التي أظهرها راسل أوهل من مختبرات بيل خلال الأربعينيات من القرن الماضي مبنية على تقاطعات طبيعية تشكلت من فصل الشوائب أثناء عملية إعادة التبلور [3]. تتمتع الخلايا بكفاءة تبلغ&لتر ؛ 1٪ بسبب عدم التحكم في موقع التقاطع وجودة مادة السيليكون.

ما هو الباعث الذي يتكون من النوع n لخلايا السيليكون الشمسية؟

يتكون الباعث من النوع n لخلايا السيليكون الشمسية من النوع p البلوري عن طريق انتشار الفوسفور (P). في عملية الانتشار ، يتم إرسال رقائق Si في الفرن وتعريضها عند 800-900 درجة مئوية لكلوريد الفوسفوريل (POCl3) و O2 مما يؤدي إلى ترسب PSG على أسطح رقاقة Si. تسمى هذه الخطوة بالترسيب المسبق ، حيث يعمل PSG [28] كمصدر لمواد الفوسفور (P) لتنتشر في رقاقة Si.